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刻蝕顯影清洗系統清洗流程解析

發布時間: 2021-08-24  點擊次數: 919次
  在平板顯示產品的制程中,隨著工藝層數的增加和產品精度的提高,光刻制程相比過去顯得越發重要。在光刻制程的過程中,顯影單元作為刻蝕設備的主要單元之一,將曝光區域或未曝光區域進行溶解,以保留另外區域,從而將圖案顯現出來。顯影單元在顯影制程中需循環使用顯影液,即顯影液在將基板上部分光刻膠溶解后回流到顯影槽。隨著顯影液的使用次數的增加,顯影液中光刻膠的成分升高,久而久之,顯影槽的四周的內壁會殘留反應后的光刻膠。由于殘留的光刻膠會影響顯影槽內的潔凈度,嚴重時會直接污染產品,使顯影槽需定期清潔。
  刻蝕顯影清洗系統流程:脫脂→水洗→微蝕→水洗→酸洗→水洗→烘干?;瘜W清洗的目的:獲得一層潔凈、新鮮的銅面。使銅面具有一定的粗糙度,增加板面與干膜的結合力。該系統包括殼體、主管道、噴淋管路、電磁閥、噴淋裝置、排液管道以及快速供液管道,殼體具有顯影槽;主管道的一端伸入殼體內并與顯影槽連通,主管道用于供給顯影液;噴淋管路包括相連通的噴淋管道主體和支管道,噴淋管道主體與主管道連通;電磁閥設置于支管道上。
  噴淋裝置與支管道的背離噴淋管路主體的端部連通,噴淋裝置設置于殼體上,且噴淋裝置位于顯影槽內,噴淋裝置用于在清洗顯影槽時噴灑顯影液;排液管道與顯影槽連通。排液管道用于在清洗顯影槽之后排出顯影槽內的顯影液,使顯影液快速排出殼體之外,整個清洗過程中無需打開密封蓋,避免了顯影單元存在嚴重的質量和安全隱患的問題。
  刻蝕顯影清洗系統顯影機:感光膜中未曝光部分的活性基團與稀堿溶液反應生成可溶性物質而溶解下來,顯影時活性基團羧基一COOH與無水碳酸鈉溶液中的Na+作用,生成親水性集團一COONa。從而把未曝光的部分溶解下來,而曝光部分的干膜不被溶脹。顯影點控制;顯影點離顯影段出口太近,未聚合的抗蝕膜得不到充分的清潔顯影,抗蝕劑的殘余可能留在板面顯影點離顯影段的入口太近,已聚合的于膜由于與顯影液過長時間的接觸,可能被浸蝕而變得發毛,失去光澤。通常顯影點控制在顯影段總長度的50%-60%之內。
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