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NRE-4000（ICPA）全自動ICP刻蝕系統：自動上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NDR-4000（M）DRIE深反應離子刻蝕：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8“ ICP源。系統配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應離子刻蝕：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8“ ICP源。系統配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕系統：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NIE-4000IBE離子束刻蝕系統：如銅和金等金屬不含揮發性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。 NANO-MASTER技術已經證明了可以把基片溫度控制在50° C以內。