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Trion Orion HDCVD高密度化學氣相沉積系統

PECVD沉積可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創建高密度等離子，從而控制薄膜應力。

GSC-1000磁控濺射系統概述： 帶有水冷或者加熱（高可加熱到700度）功能，大到6“旋轉平臺，大可支持到2個偏軸平面磁控管。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

Trion Orion III PECVD薄膜沉積系統可以在緊湊的平臺上生產高品質的薄膜。*的反應器設計可以在在極低的功率生產具有優異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統可以滿足實驗室和中試生產環境中的所有安全，設施和工藝標準要求。

德國韋氏納米系統專門為大學，研究機構提供了一系列高真空/超高真空桌面型熱蒸發鍍膜工藝平臺。