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NLD-3000原子層沉積系統：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發。蒸發的物質由容易逃出與電離的核素組成。若果溶化作用在真空之下進行，核素本身會即時在靶表面上形成光亮的等離子羽狀物。激光加熱方法特別適用于蒸發那些成分比較復雜的合金或化合物材料，比如近年來研究較多的高溫超導材料YBa2Cu3O7等。

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發。蒸發的物質由容易逃出與電離的核素組成。若果溶化作用在真空之下進行，核素本身會即時在靶表面上形成光亮的等離子羽狀物。激光加熱方法特別適用于蒸發那些成分比較復雜的合金或化合物材料，比如近年來研究較多的高溫超導材料YBa2Cu3O7等。

NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統（PA-MOCVD）,該系統具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制，*的安全

NMC-3000 PAMOCVD系統：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統（PA-MOCVD）,該系統具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制。