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NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統：能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體。

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。